AI 반도체 혁신! 삼성전자 1c D램 & '제2의 HBM' 소캠 개발!

• 1. 삼성전자 6세대 '1c D램' 개발 배경
• 2. 1c D램의 핵심 기술과 의의
• 3. HBM4와의 연계, 차세대 메모리 경쟁
• 4. 소캠(SOCAM) 개발 착수의 파장
• 5. 생산 시스템과 수율의 진화
• 6. 글로벌 경쟁 구도와 전망
• 7. 결론 및 참여

 

1. 삼성전자 6세대 '1c D램' 개발 배경

2025년 7월 1일, 삼성전자는 10나노급 6세대(1c) D램의 양산 승인(PRA) 소식을 전하며 다시 한 번 글로벌 반도체 시장의 이목을 집중시켰습니다.
PRA(Production Readiness Approval)는 대량 생산에 앞서 품질, 공정, 설비 등이 모두 최적화됐음을 인증하는 단계입니다. 이로써 삼성전자는 고성능, 고집적 D램 시장에서 중요한 변곡점을 마련했습니다.

"D1c D램은 10나노급 이하 초미세 공정을 적용해, HBM4와 같은 차세대 고대역폭 메모리의 근간이 되는 혁신 제품입니다."
- 업계 관계자

 

2. 1c D램의 핵심 기술과 의의

"1c D램"이란 10나노(㎚)급 이하, 즉 약 12~13나노미터 수준의 선폭에서 동작하는 극초미세 반도체 공정의 집합체입니다.
세대 체계: 1x(1세대), 1y(2세대), 1z(3세대), 1a(4세대), 1b(5세대), 1c(6세대)

1c D램의 주요 특징은 다음과 같습니다.

• 초미세 공정 → 고집적 + 고성능 (AI·빅데이터·고성능컴퓨팅 시장 수요 대응)
• 건식 포토레지스트(PR) 등 신소재·신공정 도입
• 수율 및 안정성 대폭 향상
• HBM4 등 차세대 메모리 구현의 필수 기반

💡 더 알아보기: D램 세대별 진화 과정 자세히 보기

 

3. HBM4와의 연계, 차세대 메모리 경쟁

HBM4(High Bandwidth Memory 4)는 차세대 AI·데이터센터용 고대역폭 메모리로, 초미세 D램 공정 기술이 필수적입니다.
실제로 글로벌 경쟁사인 SK하이닉스, 마이크론도 1b(5세대) D램 기반 HBM4 샘플을 고객사에 공급하고 있지만, 삼성전자는 1c(6세대) 도입으로 기술적 우위 확보를 모색합니다.

🚀 더 알아보기: HBM4란 무엇인가?

4. 소캠(SOCAM) 개발 착수의 파장

삼성전자는 D램 혁신 외에도, 차세대 SoCAM(Second-generation System-on-Chip Advanced Memory) 개발에 공식 착수했다고 밝혔습니다.
SoCAM은 D램 및 HBM 라인의 경험과 공정 기술을 바탕으로 차세대 통합형 메모리 솔루션을 지향합니다.
앞으로 ‘제2의 HBM’으로 불릴 만큼, AI, 스마트폰, 자동차반도체 시장에 걸쳐 폭넓은 응용성이 기대되고 있습니다.

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5. 생산 시스템과 수율의 진화

1c D램 생산은 단순한 기술 개발을 넘어 양산 체계 전반의 혁신이 요구됩니다.
PRA 통과로 첫 양산이 시작될 때 초기 수율은 대체로 50% 내외이나, ▲신소재 채택, ▲공정 자동화, ▲AI 기반 품질 관리 시스템 도입 등으로 6개월 내 80~90%의 안정적 수율을 목표로 하고 있습니다.

"이번 양산 승인으로 삼성전자는 전세대 제품 비중을 줄이면서 1c 생산 비중을 점진적으로 확대, 안정적인 공급 기반을 다질 전망입니다."

 

6. 글로벌 경쟁 구도와 전망

SK하이닉스가 세계 최초 1c 개발을 공식화하며 시장을 선점했으나, 삼성전자의 양산 체제 돌입은 글로벌 D램 시장 경쟁의 본격화를 의미합니다.
AI, 빅데이터, 자율주행, 반도체 수요 급증 등 미래 성장 동력 확보를 위한 초격차 전략이 본격적으로 펼쳐집니다.

💡 더 알아보기: D램 시장 글로벌 경쟁 구도

7. 결론 및 참여

2025년, 삼성전자 1c D램의 양산 승인은 반도체 기술 혁신의 중요한 이정표입니다.
AI, 빅데이터, 자율주행 등 4차 산업혁명을 이끄는 기술 경쟁의 중심에 서서, 차세대 HBM4와 SoCAM까지 아우르는 초격차 전략을 가속시키고 있습니다.
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